IT之家 1 月 19 日消息,據(jù) DIGITIMES 研究報(bào)告,隨化鎵 (GaN) 通訊元件于藝及磊晶術(shù)持續(xù)精,將由現(xiàn)散熱較佳碳化硅基化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu),朝著即將試的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改后的硅基化鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展以支持后 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在軌衛(wèi)星及能手機(jī)等景應(yīng)用。者,因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣算能力,提供更寬的 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段資料傳輸及傳輸范,亦有望升 GaN 通訊元件于高頻及功率環(huán)境的終端需。(磊晶Epitaxy 是指一種用于導(dǎo)體器件造過(guò)程中在原有晶上長(zhǎng)出新晶,以制新半導(dǎo)體的技術(shù))于通訊網(wǎng)技術(shù)的不升級(jí),從先單純語(yǔ)傳輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物聯(lián)的 5G、再至未來(lái)合多元傳器的 6G 網(wǎng)絡(luò),將提供人們加便捷的訊生活。6G 網(wǎng)絡(luò)無(wú)論于頻譜率、通訊效及數(shù)據(jù)輸率等皆勝 5G,且 6G 擁有更寬的網(wǎng)絡(luò)頻與可支持地面通訊 (Non-Terrestrial Network;NTN),有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系的透比例。IT之家了解到,GaN 通訊元件因高頻及功率的材特性,適在如基站的功率放器 (Power Amplifier;PA) 等嚴(yán)苛的工作境操作。行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)散熱條件佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)為主。DIGITIMES Research 認(rèn)為,未來(lái)隨同 GaN on GaN 元件接續(xù)問(wèn)世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量得改善,將漸應(yīng)用 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于軌衛(wèi)星及能手機(jī)等端場(chǎng)景?
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