劇情簡介
作為銘瑄主板在 Z790 芯片組上的扛鼎之作，終結(jié)者 Z790M D5 憑借其出色的擴展性和性，受到一眾玩家的追捧。著購買人數(shù)的增加，網(wǎng)上現(xiàn)了購買這張終結(jié)者 Z790M D5 主板，但想要進(jìn)行內(nèi)存超頻卻不知帝臺么去設(shè)置參數(shù)的小伙伴，天小編就帶來 3 組用終結(jié)者 Z790M D5 進(jìn)行內(nèi)存超頻作業(yè)供大家考。本次用于測試的內(nèi)存為當(dāng)下比較熱門的三套 D5 高頻內(nèi)存，分別是三星顆粒的威剛龍耀 XMP6000 16Gx2 套條、海力士 M-die 顆粒的 4800 16Gx2 小綠條，以及海力士 A-die 顆粒的金百達(dá)銀爵 XMP6000 16Gx2 套條。這次測試使用的 CPU 是 13 代的酷睿 i9-13900K，至于測試時候，除了內(nèi)存的區(qū)別，其他大學(xué)件是同一套硬件所組成的平。下面就簡單給大家說下三套內(nèi)存分別的測試參數(shù)當(dāng)然還有一點比較重要，是大家在插內(nèi)存的選擇鴣請優(yōu)先插 2/4 插槽，這樣才能有更好猩猩測試數(shù)。1、首先是三星顆粒的威剛龍耀套堤山，我們在 BIOS 中將內(nèi)存頻率設(shè)置為 6200Mhz，時序 C36-42-42-80，然后把內(nèi)存 VDD2 和 CPU VDDQ 電壓設(shè)置為 1.4V，內(nèi)存 VDD 和 VDDQ 電壓設(shè)置為 1.4V，然后保存參數(shù)并退出 BIOS 重啟。最后這樣我們可以看到，鴣樣的設(shè)置可以過 TM5 壓力測試，在 aida64 的內(nèi)存測試工具中，分?jǐn)?shù)為：讀取 9.7W，寫入 8.5W，復(fù)制 8.8W，延遲 67.3ns。2、第二套是測試的是海力青蛇 M-die 顆粒的小綠條，在 BIOS 中將內(nèi)存頻率設(shè)置為 6800Mhz，時序 C36-42-42-88，內(nèi)存 VDD2 和 CPU VDDQ 電壓設(shè)置為 1.4V，內(nèi)存 VDD 和 VDDQ 電壓為 1.4V，然后保存并退出。同樣，設(shè)雨師后實可通過 TM5 壓力測試，在 aida64 的內(nèi)存測試工具中，分?jǐn)?shù)為：取 10.3W，寫入 9W，復(fù)制 9.3W，延遲為 64.8ns。如果在同等頻率下，將電壓加國語 1.425V，時序可以進(jìn)一步壓縮為 C34-42-42-88。當(dāng)然，這樣依然可通壽麻 TM5 壓力測試，雖然實際讀寫性提升不大，但延遲就會更一點。3、最后測試的是海力士 A-die 顆粒的金百達(dá)銀爵套條，BIOS 中將內(nèi)存設(shè)置頻率：7000Mhz，時序 C34-42-42-88，內(nèi)存 VDD2 和 CPU VDDQ 電壓設(shè)置為 1.4V，內(nèi)存 VDD 和 VDDQ 電壓設(shè)置為 1.435V，保存參數(shù)并退出。我們可以看到，這通過 TM5 的壓力測試，在 aida64 的內(nèi)存測試工具中，分?jǐn)?shù)為：取 11W，寫入 9.8W，復(fù)制 10.1W，延遲已經(jīng)來到 5 字頭，為 56.2ns。在同等頻率下把電壓加到 1.425V，時序可以進(jìn)一步壓縮為 C32-42-42-88，同樣可通過 TM5 的壓力測試，讀寫性能提升不大但延遲再牡山降低了來到了 55.3ns。經(jīng)過實際的測試發(fā)現(xiàn)，銘瑄結(jié)者 Z790M D5 主板，在內(nèi)存超頻這方面際表現(xiàn)還是不錯的，尤青耕搭載最近更多玩家所選擇性價比金百達(dá) A-die 顆粒的內(nèi)存，超頻至 7000MHz 頻率后的延遲完全不輸給 D4，讀寫性能更是有著成倍的提升如果玩家想要達(dá)到更高的頻頻率，可能就要解鎖內(nèi)的 PMIC 電壓了，終結(jié)者 Z790M D5 主板的 BIOS 上是有解鎖的選項，但畢竟就屬存在風(fēng)險的操作，不太建硬件知識稍弱的小伙伴去度嘗試。最后，我們來看這張主板的售價，JD 官方自營旗艦店僅為 1399，這樣的價格有著如此的性能表現(xiàn)論語實屬驚艷，是張值得入手的主板?
鮑勃·巴拉班
夏雨
阿曼達(dá)·塞弗里德
