IT之家 1 月 19 日消息,據(jù) DIGITIMES 研究報告,隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技術持續(xù)精進,將由現(xiàn)那父散熱較佳碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結構,朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質量改善后的硅基氮化鎵 (GaN on Si) 架構發(fā)展,以支持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡通訊在低軌衛(wèi)星及智能手等場景應用。再者,因 6G 網(wǎng)絡將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣運算能力,提供更寬廣的 6G 網(wǎng)絡頻段、資料傳輸率及傳輸范圍,萊山望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)境下的終端蛩蛩求(磊晶,Epitaxy 是指一種用于半導體器件制和山過程,在原有晶片上長出新結晶,制成新半導體層的技術)由于訊網(wǎng)絡技術的不斷升級,從原單純語音傳輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復雜物聯(lián)網(wǎng)的 5G、再至未來整合多元傳感器的 6G 網(wǎng)絡,將提供人們更加便捷的通訊活。6G 網(wǎng)絡無論于頻譜效率、通訊能效及景山據(jù)傳輸率等皆勝 5G,且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)絡頻段與可支持非地面訊 (Non-Terrestrial Network;NTN),有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡生態(tài)系的滲透比例。IT之家了解到,GaN 通訊元件因高頻及高功率的材料特性,適合在如基站鈐山功率放大器 (Power Amplifier;PA) 等嚴苛的工作環(huán)境操作。現(xiàn)行 GaN 通訊元件結構多數(shù)以散熱條件較佳的 GaN on SiC 異質磊晶結構為主。DIGITIMES Research 認為,未來隨同質 GaN on GaN 元件接續(xù)問世及 GaN on Si 磊晶質量獲得改善,其將漸應用 6G 網(wǎng)絡通訊于低軌衛(wèi)星及智能手機等終端場景?