磁敏傳感器中,霍爾元件及霍爾傳感器的生產(chǎn)量是的。它主要用于無刷直流電機(霍爾電機)中,這種電機用于磁帶錄音機、錄像機、XY記錄儀、打印機、電唱機及儀器中的通風風扇等。另外,霍爾元件及霍爾傳感器還用于測轉(zhuǎn)速、流量、流速及利用它制成高斯計、電流計、功率計等儀器。
磁敏傳感器是傳感器產(chǎn)品的一個重要組成部分,隨著我國磁敏傳感器技術(shù)的發(fā)展,其產(chǎn)品種類和質(zhì)量將會得到進一步發(fā)展和提高,進軍汽車,民用儀表等這些量大面廣的應(yīng)用領(lǐng)域即將實現(xiàn).國產(chǎn)的電流傳感器,高斯計等產(chǎn)品日前已經(jīng)開始走入國際市場,與國外產(chǎn)品的差距正在快速縮小
磁敏傳感器,顧名思義就是感知磁性物體的存在或者磁性強度(在有效范圍內(nèi))這些磁性材料除永磁體外,還包括順磁材料(鐵、鈷、鎳及其它們的合金)當然也可包括感知通電(直、交)線包或?qū)Ь€周圍的磁場。
一,傳統(tǒng)的磁檢測中首先被采用的是電感線圈為敏感元件。特點正是無須在線圈中通電,一般僅對運動中的永磁體或電流載體起敏感作用。后來發(fā)展為用線圈組成振蕩槽路的。如探雷器,金屬異物探測器,測磁通的磁通計等.(磁通門,振動樣品磁強計)。
二,霍爾傳感器
霍爾傳感器是依據(jù)霍爾效應(yīng)制成的器件。
霍爾效應(yīng):通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時,則載流子受到洛倫茲力的作用,并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差,在經(jīng)過特殊工藝制備的半導體材料這種效應(yīng)更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應(yīng)的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導體IIIV元素族都有所應(yīng)用。近年來,除Insb之外,有硅襯底的,也有砷化鎵的?;魻柶骷捎谄涔ぷ鳈C理的原因都制成全橋路器件,其內(nèi)阻大約都在150Ω~500Ω之間。對線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右,一般采用恒流供電法。
Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而砷化鎵典型工作電流為2mA。作為低弱磁場測量,我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越好。(因為電源周圍即有磁場,就不同程度引進誤差。另外,目前的傳感器對溫度很敏感,通的電流大了,有一個自身加熱問題。(溫升)就造成傳感器的零漂。這些方面除外附補償電路外,在材料方面也在不斷的進行改進。
霍爾傳感器主要有兩大類,一類為開關(guān)型器件,一類為線性霍爾器件,從結(jié)構(gòu)形式(品種)及用量、產(chǎn)量前者大于后者?;魻柶骷捻憫?yīng)速度大約在1us量級。
三,磁阻傳感器
磁阻傳感器,磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種磁敏傳感器。采用的半導體材料于霍爾大體相同。但這種傳感器對磁場的作用機理不同,傳感器內(nèi)載流子運動方向與被檢磁場在一平面內(nèi)。(順便提醒一點,霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響,而制造磁阻器件時努力避免霍爾效應(yīng)(在計算公式中,互為非線性項)。在磁阻器件應(yīng)用中,溫度漂移的控制也是主要矛盾,在器件制備方面,磁阻器件由于與霍爾不同,因此,早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大,現(xiàn)在多制成單臂(兩只磁敏電阻串聯(lián))主要是為補償溫度漂移。目前也有全橋產(chǎn)品,但用法(目的)與霍爾器件略有差異。據(jù)報導磁阻器件的響應(yīng)速度同霍爾1uS量級。
磁阻傳感器由于工作機理不同于霍爾,因而供電也不同,而是采用恒壓源(但也需要一定的電流)供電。當后續(xù)電路不同對供電電源的穩(wěn)定性及內(nèi)部噪聲要求高低有所不同。
四,磁敏器件應(yīng)用的問題
磁敏器件(單元)體積問題:
在磁敏元件作為檢測磁場而設(shè)計和制造的,一般檢測的概念是:測量磁場中某一點的磁性。作為點的定義在幾何學中是無限小的。在磁場檢測中,由于磁場的面積、體積、縫隙大小等都是有限面積(尺寸),因此我們希望磁敏元件之面積與被測磁場面積相比也應(yīng)該是越小越準確。在磁場成像的技術(shù)中,元件體積越小,在相同的面積內(nèi)采集的像素就愈多。分辨率、清晰度越高。在表面磁場測量與多級磁體的檢測中,在磁柵尺中,必然有如此要求。從磁敏元件工作機理看,為提高靈敏度在幾何形狀處于磁場中的幾何尺寸都有相應(yīng)要求,這與“點”的要求是相矛盾的。在與國外專家技術(shù)交流中得知,1999年俄羅斯專家說他們制成了體積0.6mm得探頭(是幾個研究所合作搞成的)。美國也有相應(yīng)的產(chǎn)品,售價約70美元一只。是否是目前水平,未見其它報導。
1.集成電路技術(shù)的應(yīng)用.將硅集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁敏傳感器,制成集成磁敏傳感器.
2.InSb薄膜技術(shù)的開發(fā)成功,使得霍爾器件產(chǎn)能劇增,成本大幅度下降.
3.強磁體合金薄膜得到廣泛應(yīng)用.各種磁阻器件出現(xiàn),應(yīng)用領(lǐng)域廣泛.
4.巨磁電阻多層薄膜的研究與開發(fā).新器件的高靈敏度,高穩(wěn)定性,引起研制高密度記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關(guān)注.
5.非晶合金材料的應(yīng)用.與基礎(chǔ)器件配套應(yīng)用,大大改善了磁傳感器性能.
6.Ⅲ—V族半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的開發(fā)和應(yīng)用.通過外延技術(shù),形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),提高磁敏器件的性能.
1.國外磁傳感器的常見種類就市場占有情況來看,國外磁敏傳感器主要品種依然是霍爾元件,磁阻元件.近期的巨磁阻元件也有良好的發(fā)展空間.
2.外磁傳感器的代表廠商:霍爾元件:日本旭化成;日本東芝;美國Honeywell公司;美國Allogro公司.磁阻器件:日本SONY公司;荷蘭PHILIPS公司.
3.國外磁傳感器的應(yīng)用情況磁敏傳感器應(yīng)用的特點是無接觸測量.
霍爾元件:磁場測量,做高斯計(特斯拉計)的檢測探頭.電流檢測,做電流傳感器/變送器的一次元件.直流無刷電機,用于檢測轉(zhuǎn)子位置并提供激勵信號.集成開關(guān)型霍爾器件的轉(zhuǎn)速/轉(zhuǎn)數(shù)測量.
強磁體薄膜磁阻器件:位移傳感器,主要有磁尺的線性長距離位移測量.角位移傳感器,主要用語轉(zhuǎn)動角度測量,廣泛應(yīng)用于汽車制造業(yè).
脈沖發(fā)訊傳感器,主要用于流量檢測和轉(zhuǎn)速/轉(zhuǎn)數(shù)測量,如電子水表和流量計的發(fā)訊傳感器.
半導體磁阻器件:主要是InSb磁阻器件微弱磁場檢測,主要用于偽鈔識別脈沖測量,主要用于轉(zhuǎn)速/轉(zhuǎn)數(shù)測量
1.國內(nèi)磁傳感器的常見種類及其特點目前國內(nèi)磁敏傳感器經(jīng)過三十余年的發(fā)展,就基礎(chǔ)器件的研究與開發(fā)情況,除巨磁阻期間存有差距以外,常用其他磁敏傳感器如霍爾元件,磁阻元件等已經(jīng)與國外同類產(chǎn)品的水平相當.市場上應(yīng)用的國產(chǎn)磁敏傳感器件的種類也與國外產(chǎn)品相當,依然是霍爾元件,磁阻元件.
2.國內(nèi)磁傳感器件代表廠商霍爾元件:中科院半導體所,沈陽儀表科學研究院,南京中旭微電子公司.磁阻器件:沈陽儀表科學研究院(匯博思賓尼斯公司)
3.國內(nèi)磁傳感器的應(yīng)用情況電流傳感器:國內(nèi)包括沈陽儀表科學研究院(思賓尼斯公司),西南自動化所等二,三十家大小不同的企業(yè)在生產(chǎn)和銷售電流傳感器/變送器,其市場競爭已經(jīng)白熱化.該領(lǐng)域是國內(nèi)磁敏傳感器應(yīng)用最早,最普及,最成熟的領(lǐng)域.直流無刷電機領(lǐng)域:InSb霍爾元件為主,主要用于直流無刷電機轉(zhuǎn)子位置檢測,并提供定子線圈電流換向的激勵信號.目前年需求量在幾億只.價格確僅有0.3元人民幣左右.該領(lǐng)域是磁敏傳感器用量的領(lǐng)域,但是在國內(nèi)目前未形成工業(yè)化生產(chǎn).流量計量領(lǐng)域:用于電子水表,電子煤氣表,流量計等流量發(fā)訊傳感器的低功耗薄膜磁體磁阻器件.日前,該產(chǎn)品由沈陽儀表科學院匯博思賓尼斯傳感技術(shù)有限公司生產(chǎn),市場空間可觀.該領(lǐng)域是磁敏傳感器國內(nèi)發(fā)展?jié)摿Φ男屡d應(yīng)用領(lǐng)域,目前處于市場成長期.專用測量儀表:高斯計,用于磁場檢測,在磁性材料生產(chǎn)及應(yīng)用方面用量較多,國內(nèi)有沈陽儀表院思賓尼斯公司,北京師范學院等幾家公司生產(chǎn),其中思賓尼斯公司的高斯計已經(jīng)批量出口美國.另外,國內(nèi)的磁敏傳感器在轉(zhuǎn)速/轉(zhuǎn)數(shù)測量,偽鈔識別等領(lǐng)域,也均有應(yīng)用,但沒有形成規(guī)模.孫仁濤教授提到,目前國內(nèi)磁敏傳感器沒有進入汽車生產(chǎn)領(lǐng)域,可謂一大遺憾.
1.生產(chǎn)規(guī)模小,成本高.
2.部分元件的穩(wěn)定性,可靠性差.
3.實際應(yīng)用且具規(guī)模的領(lǐng)域少,特別是汽車領(lǐng)域,尚處空白.
4.科研成果轉(zhuǎn)化慢,生產(chǎn)條件配套性差,缺少資金入.
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