LED芯片

LED芯片的寫(xiě)法

LED芯片介紹

LEDLightEmittingDiode(發(fā)光二極管)的縮寫(xiě)。是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件LED芯片，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個(gè)半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附在一個(gè)支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極，使整個(gè)晶片被環(huán)氧樹(shù)脂封裝起來(lái)。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)P-N結(jié)。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長(zhǎng)也就是光的顏色，是由形成P-N結(jié)的材料決定的

分類(lèi)

按用途來(lái)分類(lèi)：可根據(jù)用途分為大功率led芯片、小功率led芯片兩種；

按顏色來(lái)分：主要分為三種：紅色、綠色、藍(lán)色（制作白光的原料）；

按形狀分類(lèi)：一般分為方片、圓片兩種；

按大小分類(lèi)：小功率的芯片一般分為8mil、9mil、12mil、14mil等

制作工藝

LED的制作流程全過(guò)程包括13步，具體如下：

1.LED芯片檢驗(yàn)

鏡檢：材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑(lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整

2.LED擴(kuò)片

由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利于后工序的操作。我們采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，是LED芯片的間距拉伸到約0.6mm。也可以采用手工擴(kuò)張，但很容易造成芯片掉落浪費(fèi)等不良問(wèn)題。

3.LED點(diǎn)膠

在LED支架的相應(yīng)位置點(diǎn)上銀膠或絕緣膠。(對(duì)于GaAs、SiC導(dǎo)電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠芯片，采用銀膠。對(duì)于藍(lán)寶石絕緣襯底的藍(lán)光、綠光LED芯片，采用絕緣膠來(lái)固定芯片。)

工藝難點(diǎn)在于點(diǎn)膠量的控制，在膠體高度、點(diǎn)膠位置均有詳細(xì)的工藝要求。

由于銀膠和絕緣膠在貯存和使用均有嚴(yán)格的要求，銀膠的醒料、攪拌、使用時(shí)間都是工藝上必須注意的事項(xiàng)。

4.LED備膠

和點(diǎn)膠相反，備膠是用備膠機(jī)先把銀膠涂在LED背面電極上，然后把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠(yuǎn)高于點(diǎn)膠，但不是所有產(chǎn)品均適用備膠工藝。

5.LED手工刺片

將擴(kuò)張后LED芯片(備膠或未備膠)安置在刺片臺(tái)的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到相應(yīng)的位置上。手工刺片和自動(dòng)裝架相比有一個(gè)好處，便于隨時(shí)更換不同的芯片，適用于需要安裝多種芯片的產(chǎn)品。

6.LED自動(dòng)裝架

自動(dòng)裝架其實(shí)是結(jié)合了沾膠(點(diǎn)膠)和安裝芯片兩大步驟，先在LED支架上點(diǎn)上銀膠(絕緣膠)，然后用真空吸嘴將LED芯片吸起移動(dòng)位置，再安置在相應(yīng)的支架位置上。自動(dòng)裝架在工藝上主要要熟悉設(shè)備操作編程，同時(shí)對(duì)設(shè)備的沾膠及安裝精度進(jìn)行調(diào)整。在吸嘴的選用上盡量選用膠木吸嘴，防止對(duì)LED芯片表面的損傷，特別是藍(lán)、綠色芯片必須用膠木的。因?yàn)殇撟鞎?huì)劃傷芯片表面的電流擴(kuò)散層。

7.LED燒結(jié)

燒結(jié)的目的是使銀膠固化，燒結(jié)要求對(duì)溫度進(jìn)行監(jiān)控，防止批次性不良。銀膠燒結(jié)的溫度一般控制在150℃，燒結(jié)時(shí)間2小時(shí)。根據(jù)實(shí)際情況可以調(diào)整到170℃，1小時(shí)。絕緣膠一般150℃，1小時(shí)。

銀膠燒結(jié)烘箱的必須按工藝要求隔2小時(shí)(或1小時(shí))打開(kāi)更換燒結(jié)的產(chǎn)品，中間不得隨意打開(kāi)。燒結(jié)烘箱不得再其他用途，防止污染。

8.

壓焊的目的將電極引到LED芯片上，完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。

LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。右圖是鋁絲壓焊的過(guò)程，先在LED芯片電極上壓上點(diǎn)，再將鋁絲拉到相應(yīng)的支架上方，壓上第二點(diǎn)后扯斷鋁絲。金絲球焊過(guò)程則在壓點(diǎn)前先燒個(gè)球，其余過(guò)程類(lèi)似。

壓焊是LED封裝技術(shù)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，工藝上主要需要監(jiān)控的是壓焊金絲(鋁絲)拱絲形狀，焊點(diǎn)形狀，拉力。

9.LED封膠

LED的封裝主要有點(diǎn)膠、灌封、模壓三種。基本上工藝控制的難點(diǎn)是氣泡、多缺料、黑點(diǎn)。設(shè)計(jì)上主要是對(duì)材料的選型，選用結(jié)合良好的環(huán)氧和支架。(一般的LED無(wú)法通過(guò)氣密性試驗(yàn))

9.1LED點(diǎn)膠：

TOP-LED和Side-LED適用點(diǎn)膠封裝。手動(dòng)點(diǎn)膠封裝對(duì)操作水平要求很高(特別是白光LED)，主要難點(diǎn)是對(duì)點(diǎn)膠量的控制，因?yàn)榄h(huán)氧在使用過(guò)程中會(huì)變稠。白光LED的點(diǎn)膠還存在熒光粉沉淀導(dǎo)致出光色差的問(wèn)題。

9.2LED灌膠封裝

Lamp-LED的封裝采用灌封的形式。灌封的過(guò)程是先在LED成型模腔內(nèi)注入液態(tài)環(huán)氧，然后插入壓焊好的LED支架，放入烘箱讓環(huán)氧固化后，將LED從模腔中脫出即成型。

9.3LED模壓封裝

將壓焊好的LED支架放入模具中，將上下兩副模具用液壓機(jī)合模并抽真空，將固態(tài)環(huán)氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道中，環(huán)氧順著膠道進(jìn)入各個(gè)LED成型槽中并固化。

10.LED固化與后固化

固化是指封裝環(huán)氧的固化，一般環(huán)氧固化條件在135℃，1小時(shí)。模壓封裝一般在150℃，4分鐘。后固化是為了讓環(huán)氧充分固化，同時(shí)對(duì)LED進(jìn)行熱老化。后固化對(duì)于提高環(huán)氧與支架(PCB)的粘接強(qiáng)度非常重要。一般條件為120℃，4小時(shí)。

11.LED切筋和劃片

由于LED在生產(chǎn)中是連在一起的(不是單個(gè))，Lamp封裝LED采用切筋切斷LED支架的連筋。SMD-LED則是在一片PCB板上，需要?jiǎng)澠瑱C(jī)來(lái)完成分離工作。

12.LED測(cè)試

測(cè)試LED的光電參數(shù)、檢驗(yàn)外形尺寸，同時(shí)根據(jù)客戶(hù)要求對(duì)LED產(chǎn)品進(jìn)行分選。

技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)管芯（200-350μm2），日本日亞公司報(bào)道的研究水平，紫光（400nm）22mW，其外量子效率為35.5[%]，藍(lán)光(460nm)18.8mW，其外量子效率為34.9[%]。美國(guó)Cree公司可以提供功率大于15mW的藍(lán)色發(fā)光芯片(455～475nm)和功率為21mW的紫光發(fā)光芯片（395～410nm），8mW綠光（505～525nm）發(fā)光芯片。臺(tái)灣現(xiàn)在可以向市場(chǎng)提供6mW左右的藍(lán)光和4mW左右的紫光芯片，其實(shí)驗(yàn)室水平可以達(dá)到藍(lán)光10mW和紫光7～8mW的水平。國(guó)內(nèi)的公司可以向市場(chǎng)提供3～4mW的藍(lán)光芯片，研究單位的水平為藍(lán)光6mW左右，綠光1～2mW，紫光1～2mW。隨著外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改善，如波長(zhǎng)625nmAlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率可達(dá)到100[%]，已接近極限。

lGaInN基材料內(nèi)存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應(yīng)力和電場(chǎng)等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率比較低，但也在35～50[%]之間，半導(dǎo)體材料本身的光電轉(zhuǎn)換效率己遠(yuǎn)高過(guò)其它發(fā)光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關(guān)鍵。這在很大程度上要求設(shè)計(jì)新的芯片結(jié)構(gòu)來(lái)改善芯片出光效率，進(jìn)而達(dá)到提升發(fā)光效率(或外量子效率)的目的，大功率芯片技術(shù)也就專(zhuān)注于如何提升出光效率來(lái)提升芯片的發(fā)光效率，主要技術(shù)途徑和發(fā)展?fàn)顩r闡述如下：

1）改變芯片外形的技術(shù)

當(dāng)發(fā)射點(diǎn)處于球的中心處時(shí)，球形芯片可以獲得的出光效率。改變芯片幾何形狀來(lái)提升出光效率的想法早在60年代就用于二極管芯片，但由于成本原因一直無(wú)法實(shí)用。在實(shí)際應(yīng)用中，往往是制作特殊形狀的芯片來(lái)提高側(cè)向出光的利用效率，也可以在發(fā)光區(qū)底部(正面出光)或者外延層材料(背面出光)進(jìn)行特殊的幾何規(guī)格設(shè)計(jì)，并在適當(dāng)?shù)膮^(qū)域涂覆高防反射層薄膜，來(lái)提高芯片的側(cè)向出光利用率。

1999年HP公司開(kāi)發(fā)了倒金字塔形AlInGaP芯片并達(dá)到商用的目標(biāo)，TIP結(jié)構(gòu)減少了光在晶體內(nèi)傳輸距離、減少了內(nèi)反射和吸收（有源區(qū)吸收和自由截流子吸收等）引起的光損耗、芯片特性大幅度改善，發(fā)光效率達(dá)100流明/瓦（100mA，610nm），外量子效率更達(dá)到55[%]（650nm），而面朝下的倒裝結(jié)構(gòu)使P-N結(jié)更接近熱沉，改善了散熱特性，提高了芯片壽命。

2）鍵合技術(shù)

AlGaInP和AlGaInN基二極管外延片所用的襯底分別為GaAs和藍(lán)寶石，它們的導(dǎo)熱性能都較差。為了更有效的散熱和降低結(jié)溫，可通過(guò)減薄襯底或去掉原來(lái)用于生長(zhǎng)外延層的襯底，然后將外延層鍵合轉(zhuǎn)移倒導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能良好熱導(dǎo)率大的襯底上，如銅、鋁、金錫合金、氮化鋁等。鍵合可用合金焊料如AuSn、PbSn、In等來(lái)完成。Si的熱導(dǎo)率比GaAs和藍(lán)寶石都好，而且易于加工，價(jià)格便宜，是功率型芯片的材料。

2001年，Cree推出的新一代XBTM系列背面出光的功率型芯片，其尺寸為0.9mmx0.9mm，頂部引線鍵合墊處于中央位置，采用"米"字形電極使注入電流能夠較為均勻的擴(kuò)展，底部采用AuSn合金將芯片倒裝焊接在管殼底盤(pán)上，具有較低的熱阻，工作電流400mA時(shí)，波長(zhǎng)405和470nm的輸出光功率分別為250mW和150mW。

3）倒裝芯片技術(shù)

AlGaInN基二極管外延片一般是生長(zhǎng)在絕緣的藍(lán)寶石襯底上，歐姆接觸的P電極和N電極只能制備在外延表面的同一側(cè)，正面射出的光部分將被接觸電極所吸收和鍵合引線遮擋。造成光吸收更主要的因素是P型GaN層電導(dǎo)率較低，為滿(mǎn)足電流擴(kuò)展的要求，覆蓋于外延層表面大部分的半透明NiAu歐姆接觸層的厚度應(yīng)大于5-10nm，但是要使光吸收最小，則NiAu歐姆接觸層的厚度必須非常薄，這樣在透光率和擴(kuò)展電阻率二者之間則要給以適當(dāng)?shù)恼壑?，折衷設(shè)計(jì)的結(jié)果必定使其功率轉(zhuǎn)換的提高受到了限制。

倒裝芯片技術(shù)可增大輸出功率、降低熱阻，使發(fā)光的pn結(jié)靠近熱沉，提高器件可靠性。2001年Lumileds報(bào)道了倒裝焊技術(shù)在大功率AlInGaN基芯片上的應(yīng)用，避免了電極焊點(diǎn)和引線對(duì)出光效率的影響，改善了電流擴(kuò)散性和散熱性，背反射膜的制備將傳向下方的光反射回出光的藍(lán)寶石一方，進(jìn)一步提升出光效率，外量子效率達(dá)21[%]，功率換效率達(dá)20[%]（200mA，435nm），功率達(dá)到400mW（驅(qū)動(dòng)電流1A，435nm，芯片尺寸1mmx1mm），其總體發(fā)光效率比正裝增加1.6倍。

中國(guó)對(duì)發(fā)展規(guī)化

近年來(lái),我國(guó)LED芯片技術(shù)快速發(fā)展。在過(guò)去的一年里,我國(guó)LED芯片企業(yè)數(shù)量快速增長(zhǎng),海外芯片企業(yè)加速進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng),我國(guó)LED芯片企業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張,LED芯片業(yè)正在進(jìn)入群雄逐鹿的戰(zhàn)國(guó)時(shí)代。在這種情況下,應(yīng)如何發(fā)展自己的核心技術(shù),如何在市場(chǎng)中立足、崛起,中國(guó)LED芯片業(yè)面臨考驗(yàn)。

目前我國(guó)藍(lán)寶石襯底白光LED有很大突破,有報(bào)道顯示,光效已達(dá)到90lm/W-100lm/W。同時(shí),具有自主技術(shù)產(chǎn)權(quán)的硅襯底白光LED也已經(jīng)達(dá)到90lm/W-96lm/W。中國(guó)LED芯片業(yè)正在加速發(fā)展。與此同時(shí),海外芯片廠商也正在加速進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng),科銳(Cree)在惠州建設(shè)芯片廠、旭明在廣東省建設(shè)LED芯片廠等等,都讓我們感到,中國(guó)LED芯片業(yè)未來(lái)山雨欲來(lái)風(fēng)滿(mǎn)樓的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。

一、國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀

國(guó)產(chǎn)芯：規(guī)模小檔次低

雖然中國(guó)的LED產(chǎn)業(yè)越來(lái)越強(qiáng),但其高亮度產(chǎn)品的性能仍然落后于世界的水平。和海外制造商相比,中國(guó)公司是小規(guī)模的,在產(chǎn)品質(zhì)量上還存在著巨大的差距。國(guó)產(chǎn)LED芯片的大多數(shù)應(yīng)用在中低端的產(chǎn)品中,企業(yè)在技術(shù)上的突破偏少,特別是在電光轉(zhuǎn)換效率上所做的工作偏少,未來(lái)應(yīng)該在這方面有所突破?？傮w來(lái)講,LED業(yè)還是有些浮躁,基礎(chǔ)方面的研究不夠。而功率型芯片與國(guó)外相比還有一定的差距,85[[%]]的大功率芯片還得依靠進(jìn)口。

“外芯”來(lái)襲

去年下半年以來(lái),國(guó)際LED芯片大廠加快了向我國(guó)進(jìn)行投資布局的步伐?？其J、旭明的加速進(jìn)入,讓我國(guó)LED芯片產(chǎn)業(yè)感受到空前的緊迫感和競(jìng)爭(zhēng)的壓力。蘇州納晶光電公司董事長(zhǎng)、中科院蘇州納米所研究員梁秉文博士認(rèn)為,國(guó)際LED廠商在中國(guó)設(shè)廠是早晚的事,是時(shí)間問(wèn)題。他們看好中國(guó)市場(chǎng)和相對(duì)低廉的智力,所以會(huì)逐漸將成熟的技術(shù)產(chǎn)品拿到中國(guó)來(lái)做。再加上中國(guó)的芯片企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力弱,而中國(guó)對(duì)于芯片的需求又特別大,這些廠商進(jìn)入中國(guó)就好像“進(jìn)入無(wú)人之地”。

從另一個(gè)角度看,這些廠商的進(jìn)入也標(biāo)志著LED芯片技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入成熟階段。當(dāng)然激烈的競(jìng)爭(zhēng)也在往后的日子里等著我們。

二、發(fā)展之道

師夷長(zhǎng)技

南昌欣磊光電科技有限公司副總經(jīng)理周力認(rèn)為,由于LED產(chǎn)業(yè)的特殊性,每個(gè)企業(yè)都面臨高技術(shù)、高投入、高風(fēng)險(xiǎn)的壓力和挑戰(zhàn),特別是在核心技術(shù)的掌握,人才、技術(shù)的引進(jìn),資金籌措與資本運(yùn)作,現(xiàn)代企業(yè)管理,團(tuán)隊(duì)建設(shè)方面都存在許多實(shí)際困難,誰(shuí)都想做大做強(qiáng)自己的企業(yè),但現(xiàn)實(shí)并非從事LED產(chǎn)業(yè)的每一個(gè)企業(yè)都能一帆風(fēng)順地解決上述問(wèn)題。

因此,學(xué)習(xí)和借鑒國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)特別是知名企業(yè)的做法,這對(duì)每個(gè)企業(yè)來(lái)說(shuō)無(wú)疑會(huì)有很大幫助。

目前來(lái)看,我國(guó)在小芯片上的差距不大,但功率型芯片與國(guó)外相比還有一定的差距。企業(yè)在技術(shù)上的突破偏少,特別是在電光轉(zhuǎn)換效率上所做的工作偏少,未來(lái)應(yīng)該在這方面有所突破。

我國(guó)LED芯片產(chǎn)業(yè)雖然比美國(guó)、日本和德國(guó)起步晚一些,技術(shù)水平也有相當(dāng)?shù)牟罹?但是隨著國(guó)內(nèi)對(duì)高端產(chǎn)品需求的增長(zhǎng),研發(fā)投入的加大,特別是海外高層次人才的引進(jìn),近一年來(lái)我國(guó)的技術(shù)進(jìn)步較快,比如浪潮華光10×23mil的藍(lán)光芯片,封裝成白光后,光效已經(jīng)達(dá)到了110lm/W以上,功率型WB紅光芯片的光效也達(dá)到了50lm/W,正在向量產(chǎn)的國(guó)際水平靠攏。

術(shù)有專(zhuān)攻

在中國(guó),舊的芯片廠商擴(kuò)產(chǎn)與新的芯片廠的建立是因?yàn)榇蠹铱春肔ED市場(chǎng)發(fā)展的前景。在這個(gè)過(guò)程中,希望大家能夠吸取前段時(shí)間LED芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)與教訓(xùn)。看清迄今為止LED芯片產(chǎn)業(yè)沒(méi)有做得足夠好的問(wèn)題的根源所在。否則,盲目擴(kuò)產(chǎn)或者投資新廠是一件非常危險(xiǎn)的事。因?yàn)?一個(gè)企業(yè)快速成長(zhǎng)的時(shí)候,也是容易死得最快的時(shí)候。這里有很大的管理和市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。特別是,有些企業(yè)還沒(méi)有自己的核心技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán),或沒(méi)有核心技術(shù)團(tuán)隊(duì),在這種情況下,大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)是巨大的。

國(guó)內(nèi)方面,廈門(mén)三安、大連路明等國(guó)內(nèi)LED芯片企業(yè)也在擴(kuò)產(chǎn)、建設(shè)新廠,同時(shí)新的LED芯片企業(yè)數(shù)量也在不斷增多,有人認(rèn)為,中國(guó)LED芯片正在進(jìn)入戰(zhàn)國(guó)時(shí)代,對(duì)此說(shuō)法,南昌欣磊光電科技有限公司副總經(jīng)理周力并不贊成。他認(rèn)為,LED芯片進(jìn)入戰(zhàn)國(guó)時(shí)代,這種說(shuō)法不恰當(dāng)。周力認(rèn)為,當(dāng)前國(guó)內(nèi)LED芯片領(lǐng)域擴(kuò)產(chǎn)、新建、新增企業(yè)很正常,LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景是明擺著的事,大家都在爭(zhēng)相投資發(fā)展,這是市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的規(guī)律所在。廈門(mén)三安、大連路美、杭州士蘭明芯、山東浪潮華光、江西晶能光電等新興企業(yè)的崛起和壯大就是應(yīng)運(yùn)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展而生的。每個(gè)企業(yè)都有自己的特色,都有自己的戰(zhàn)略及發(fā)展規(guī)劃,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的不同,側(cè)重點(diǎn)的不同,經(jīng)營(yíng)策略和工作方針的不同等,這對(duì)推動(dòng)我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進(jìn)市場(chǎng)繁榮將產(chǎn)生重大的意義和深遠(yuǎn)的影響。

以人為本以“核”為貴

國(guó)際廠商的進(jìn)入,對(duì)于人才的競(jìng)爭(zhēng)就更加不可避免,晶能光電(江西)有限公司常務(wù)副總裁王敏認(rèn)為,海外LED芯片廠商的大舉進(jìn)入,短期來(lái)看一定會(huì)使產(chǎn)業(yè)人才更加緊張,但從長(zhǎng)期來(lái)看應(yīng)該會(huì)對(duì)我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)起到積極的作用。

目前中國(guó)LED芯片廠的、最急迫的任務(wù)是組建一支真正屬于自己的核心管理和技術(shù)團(tuán)隊(duì)。他們能與企業(yè)一起成長(zhǎng)和發(fā)展。因?yàn)殡S著新公司的建立和已有公司的擴(kuò)產(chǎn),再加上LED外延芯片人才還沒(méi)有正式的、系統(tǒng)的、大批量的培養(yǎng)機(jī)構(gòu),這些都會(huì)使得LED產(chǎn)業(yè)面臨人才嚴(yán)重短缺的問(wèn)題。很多公司將采取各種手段找人、挖人,如果不能建立一個(gè)有效的人才激勵(lì)機(jī)制,有些公司的人才流失將變得不可避免。

國(guó)家調(diào)控科學(xué)發(fā)展

從國(guó)家層面來(lái)講,我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)正處在百花齊放、百花爭(zhēng)妍、加速發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期,針對(duì)這一特點(diǎn),國(guó)家應(yīng)加強(qiáng)宏觀調(diào)控,分類(lèi)指導(dǎo)各省、市在發(fā)展地方經(jīng)濟(jì)的同時(shí)搞好科學(xué)規(guī)劃、有序發(fā)展,避免熱門(mén)一擁而上,重復(fù)投資、重復(fù)建設(shè),重蹈浪費(fèi)資金,浪費(fèi)人力、物力的覆轍。同時(shí)轉(zhuǎn)變思路,轉(zhuǎn)變觀念,科學(xué)發(fā)展,既有分工又有合作應(yīng)當(dāng)成為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共識(shí)與模式,在此大前提下各企業(yè)根據(jù)自身的特長(zhǎng),協(xié)調(diào)分工、科學(xué)規(guī)劃、科學(xué)管理、有序競(jìng)爭(zhēng),走符合自我發(fā)展的道路,進(jìn)而共同推進(jìn)LED芯片制造業(yè)做大做強(qiáng)。

總結(jié)：十指合一劍指“中國(guó)芯”

中國(guó)的LED芯片廠家要想異軍突起,必須繼續(xù)以龍頭企業(yè)為主,加大研發(fā)投入和力度,掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

我國(guó)擁有大量廉價(jià)的人力、物力和資源市場(chǎng),加之國(guó)家政策的引導(dǎo)、扶持,已引起世界各國(guó)的高度關(guān)注。國(guó)際大公司都看到了中國(guó)未來(lái)發(fā)展走向,當(dāng)然不會(huì)放過(guò)這一商機(jī),紛紛加速擠進(jìn)中國(guó)的LED市場(chǎng),這將加劇我國(guó)LED芯片產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng),而且預(yù)計(jì)這種競(jìng)爭(zhēng)將非常慘烈。但從另一個(gè)層面講競(jìng)爭(zhēng)是必然的,落后就必須淘汰,關(guān)鍵是作為民族工業(yè)的產(chǎn)業(yè)我們?nèi)绾螒?yīng)對(duì),在學(xué)習(xí)、借鑒別人先進(jìn)技術(shù)的同時(shí)如何保護(hù)我們的民族工業(yè),發(fā)展自己的核心技術(shù),加強(qiáng)自身的創(chuàng)新能力,提升技術(shù)含量和技術(shù)水平、發(fā)展后勁,最終站穩(wěn)腳跟與國(guó)外知名企業(yè)抗衡。

一場(chǎng)危機(jī)已經(jīng)悄悄臨近了我國(guó)的LED芯片廠。我國(guó)芯片廠應(yīng)該迅速地進(jìn)行上下游整合,明確自己的市場(chǎng)定位,選擇從一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域打開(kāi)局面,才可能有生存和發(fā)展的希望。市場(chǎng)給中國(guó)芯片廠的時(shí)間已經(jīng)不多了。

廠商介紹

臺(tái)灣LED芯片廠商

晶元光電（Epistar）簡(jiǎn)稱(chēng)：ES、（聯(lián)詮、元坤，連勇，國(guó)聯(lián)），廣鎵光電（Huga），新世紀(jì)（GenesisPhotonics），華上（ArimaOptoelectronics）簡(jiǎn)稱(chēng)：AOC，泰谷光電（Tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發(fā)，視創(chuàng)，洲磊，聯(lián)勝（HPO），漢光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）簡(jiǎn)稱(chēng)：TK，曜富洲技TC，燦圓（FormosaEpitaxy），國(guó)通，聯(lián)鼎，全新光電（VPEC）等。

華興（LedtechElectronics）、東貝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLightElectronics）、億光（EverlightElectronics）、佰鴻（BrightLEDElectronics）、今臺(tái)（Kingbright）、菱生精密（LingsenPrecisionIndustries）、立基（LigitekElectronics）、光寶（Lite-OnTechnology）、宏齊(HARVATEK)等。

大陸LED芯片廠商

三安光電簡(jiǎn)稱(chēng)（S）、上海藍(lán)光（Epilight）簡(jiǎn)稱(chēng)（E）、士蘭明芯（SL）、大連路美簡(jiǎn)稱(chēng)（LM）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀(jì)晶源、廣州普光、揚(yáng)州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達(dá)光電、深圳方大，山東華光、上海藍(lán)寶等。

國(guó)外LED芯片廠商

CREE，惠普（HP），日亞化學(xué)（Nichia），豐田合成，大洋日酸，東芝、昭和電工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，歐司朗（Osram），GeLcore，首爾半導(dǎo)體等，普瑞，韓國(guó)安螢（Epivalley）等。