咪頭

咪頭的寫法

咪頭介紹

咪頭，是將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的能量轉(zhuǎn)換器件，是和喇叭正好相反的一個(gè)器件（電→聲）。是聲音設(shè)備的兩個(gè)終端，咪頭是輸入，喇叭是輸出。又名麥克風(fēng)，話筒，傳聲器，咪膽等。

指標(biāo)

咪頭的測(cè)試條件；MIC的使用應(yīng)規(guī)定其工作電壓和負(fù)載電阻，不同的使用條件，其靈敏度的大小有很大的影響。

電壓電阻

1、消耗電流：即咪頭的工作電流

主要是FET在VSG=0時(shí)的電流，根據(jù)FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對(duì)于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下，對(duì)于工作電流就有嚴(yán)格的要求，由電原理圖可知

VS=VSD+ID×RLID=（VS-VSD）/RL

式中IDFET在VSG等于零時(shí)的電流

RL為負(fù)載電阻

VSD,即FET的S與D之間的電壓降

VS為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓

總的要求100μA〈IDS〈500μA

2、靈敏度：?jiǎn)挝宦晧簭?qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。

單位：V/Pa或dBV/Pa有的公司使用是dBV/μBar

-40dBV/Pa=-60dBV/μBar

0dBV/Pa=1V/Pa

聲壓強(qiáng)Pa=1N/m2

3、輸出阻抗：基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL（1-70[%]）之間。

4、方向性及頻響特性曲線：

a、全向：MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等，全向MIC的結(jié)構(gòu)是PCB上全部密封，因此，聲壓只有從MIC的音孔進(jìn)入，因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器。

頻率特性圖：

b、單向單向MIC具有方向性，如果MIC的音孔正對(duì)聲源時(shí)為0度，那么在0度時(shí)靈敏度，180度時(shí)靈敏度，在全方位上呈心型圖，單向MIC的結(jié)構(gòu)與全向MIC不同，它是在PCB上開有一些孔，聲音可以從音孔和PCB的開孔進(jìn)入，而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料，因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC。

頻率特性圖：

c、消噪型：是屬于壓差式MIC，它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料，它的方向型圖是一個(gè)8字型。

頻率特性：

5、頻率范圍：

全向：50~12000Hz20~16000Hz

單向：100~12000Hz100~16000Hz

消噪：100~10000Hz

6、聲壓級(jí)：是指MIC的失真在3[%]時(shí)的聲壓級(jí)，聲壓級(jí)定義：20μpa=0dBSPL

MaxSPL為115dBSPLASPL聲壓級(jí)A為A計(jì)權(quán)

7、S/N信噪比：即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比，詳見產(chǎn)品手冊(cè)，噪聲主要是FET本身的噪聲。

分類

1、從工作原理上分：

炭精粒式

電磁式

電容式

駐極體電容式（以下介紹以駐極體式為主）

壓電晶體式，壓電陶瓷式

二氧化硅式等

2、從尺寸大小分,駐極體式又可分為若干種。

Φ9.7系列產(chǎn)品Φ8系列產(chǎn)品Φ6系列產(chǎn)品

Φ4.5系列產(chǎn)品Φ4系列產(chǎn)品Φ3系列產(chǎn)品

每個(gè)系列中又有不同的高度

3、從咪頭的方向性，可分為全向，單向，雙向（又稱為消噪式）

4、從極化方式上分，振膜式,背極式,前極式

從結(jié)構(gòu)上分又可以分為柵極點(diǎn)焊式,柵極壓接式,極環(huán)連接式等

5、從對(duì)外連接方式分

普通焊點(diǎn)式：L型

帶PIN腳式：P型

同心圓式：S型

駐極體工作原理

由靜電學(xué)可知，對(duì)于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：C=ε．S/L……①即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比，與兩個(gè)極板的面積成正比，與兩個(gè)極板之間的距離成反比。

另外，當(dāng)一個(gè)電容器充有Q量的電荷，那么電容器兩個(gè)極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式：C=Q/V……②

對(duì)于一個(gè)駐極體咪頭，內(nèi)部存在一個(gè)由振膜，墊片和極板組成的電容器，因?yàn)槟て铣溆须姾?，并且是一個(gè)塑料膜，因此當(dāng)膜片受到聲壓強(qiáng)的作用，膜片要產(chǎn)生振動(dòng)，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個(gè)極板之間的距離，產(chǎn)生了一個(gè)Δd的變化，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個(gè)ΔC的變化，由公式②又知，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的，因此必然產(chǎn)生一個(gè)ΔV的變化。

這樣初步完成了一個(gè)由聲信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。

由于這個(gè)信號(hào)非常微弱，內(nèi)阻非常高，不能直接使用，因此還要進(jìn)行阻抗變換和放大。

FET場(chǎng)效應(yīng)管是一個(gè)電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。

由于電容器的兩個(gè)極是接到FET的S極和G極的，因此相當(dāng)于FET的S極與G極之間加了一個(gè)Δv的變化量，F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一個(gè)ΔID的變化量，因此這個(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個(gè)ΔVD的變化量，這個(gè)電壓的變化量就可以通過電容C0輸出，這個(gè)電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個(gè)咪頭就完成了一個(gè)聲電的轉(zhuǎn)換過程。

電原理圖

FET(場(chǎng)效應(yīng)管)MIC的主要器件，起到阻抗變換或放大的作用。

C：是一個(gè)可以通過膜片震動(dòng)而改變電容量的電容，聲電轉(zhuǎn)換的主要部件。

C1,C2是為了防止射頻干擾而設(shè)置的，可以分別對(duì)兩個(gè)射頻頻段的干擾起到抑制作用。

RL:負(fù)載電阻，它的大小決定靈敏度的高低。

VS:工作電壓，MIC提供工作電壓。

CO:隔直電容，信號(hào)輸出端。