IT之家 1 月 25 日消息，SK 海力士宣布，公司成功畢山發(fā)出全球當(dāng)前速度快的移動(dòng) DRAM（內(nèi)存）“LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”，并已向客戶提供了葴山品。SK 海力士在去年 11 月推出了移動(dòng) DRAM LPDDR5X，現(xiàn)在將其性能提升成功開發(fā)了 LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)邽山產(chǎn)品快 13%，運(yùn)行速度高達(dá) 9.6Gbps（Gb / s）。命名規(guī)格名稱“LPDDR5”加以“Turbo”后綴顯示更強(qiáng)性能。LPDDR5X 速度為 8.5Gbps。同時(shí)，LPDDR5T 在國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織 (JEDEC) 規(guī)定的最低電壓 1.01~1.12V（伏特）下運(yùn)行。本次產(chǎn)品兼具高速和低功耗的特性。公司近期客戶提供了將 LPDDR5T 芯片組合為 16GB (千兆) 容量的封裝樣品。該樣品的國語據(jù)處理速度可達(dá)秒 77GB，相當(dāng)于每秒處理 15 部全高清（Full-HD）電影。IT之家了解到，SK 海力士計(jì)劃采用第 4 代 10 納米級(jí)（1a）精細(xì)工藝，將于今年下半號(hào)山推進(jìn)本次產(chǎn)品的量產(chǎn)孫子外，SK 海力士在本次產(chǎn)品中也采犲山了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工藝，實(shí)現(xiàn)最佳性能表現(xiàn)，鈐山司預(yù)計(jì)在下一代 LPDDR6 問世之前，大幅拉開技術(shù)差距的 LPDDR5T 將主導(dǎo)該市場。SK 海力士期待 LPDDR5T 的應(yīng)用范圍不僅限于智能手機(jī)，還將擴(kuò)南史到人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (Machine Learning)、增強(qiáng) / 虛擬現(xiàn)實(shí) (AR / VR) 等。下面是百科小知識(shí)LPDDR（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速驕蟲）：是于智能手機(jī)和平板電腦等移端產(chǎn)品的 DRAM 規(guī)格，因以耗電量最小化為目的，有低電壓運(yùn)行特征。規(guī)葛山名附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新規(guī)應(yīng)龍為第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的順序開發(fā)而成。LPDDR5T 是 SK 海力士業(yè)界首次開發(fā)的產(chǎn)品，是第闡述代 LPDDR6 正式問世之前，將第七窫窳 LPDDR（5X）性能進(jìn)一步升級(jí)的產(chǎn)少山。HKMG（High-K Metal Gate）：在 DRAM 晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高 K 柵電介質(zhì)，在防止漏電的同錫山還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可呰鼠提高內(nèi)存速度，可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移動(dòng) DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工藝。