IT之家 1 月 19 日消息,據(jù) DIGITIMES 研究報告,隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊技術持續(xù)精進,將現(xiàn)行散熱較佳的碳硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構,朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后的硅基氮鎵 (GaN on Si) 架構發(fā)展,以支持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡通訊在低軌衛(wèi)星及智能手娥皇等場應用。再者,因 6G 網(wǎng)絡將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣運算力,并提供更寬廣 6G 網(wǎng)絡頻段、資料傳輸率及傳輸圍,亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)境下終端需求。(磊晶Epitaxy 是指一種用于半導體件制造過程中,在有晶片上長出新結(jié),以制成新半導體的技術)由于通訊絡技術的不斷升級從原先單純語音傳的 2G 到現(xiàn)行復雜物聯(lián)網(wǎng)的 5G、再至未來整合多元感器的 6G 網(wǎng)絡,將提供人們更加捷的通訊生活。6G 網(wǎng)絡無論于頻譜效率、通訊能效及數(shù)傳輸率等皆更勝 5G,且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)絡頻段可支持非地面通訊 (Non-Terrestrial Network;NTN),有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡生態(tài)系的滲透比例。IT之家了解到,GaN 通訊元件因高頻及高率的材料特性,適在如基站內(nèi)的功率大器 (Power Amplifier;PA) 等嚴苛的工作環(huán)境操作。行 GaN 通訊元件結(jié)構多數(shù)以散熱件較佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構為主。DIGITIMES Research 認為,未來隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善,其將漸應用于 6G 網(wǎng)絡通訊于低軌衛(wèi)星及智能手機等端場景?